FGH50T65UPD

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

FGH50T65UPD datasheet

• Маркировка
  FGH50T65UPD
• Производитель
  Fairchild Semiconductor
• Описание
  Fairchild Semiconductor FGH50T65UPD Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 650 V Collector-emitter Saturation Voltage: 2.1 V Continuous Collector Current At 25 C: 100 A Gate-emitter Leakage Current: 400 nA Maximum Gate Emitter Voltage: 25 V Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247 Power Dissipation: 240 W Rohs: yes RoHS: yes Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V Continuous Collector Current at 25 C: 100 A Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet FGH50T65UPD.pdf
Файл формата Pdf 1014,52 KB